řada: HEXFET Výkonový MOSFET N-kanálový 48 A 60 V Infineon, JEDEC TO-220AB, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 919-4937
Výrobní číslo:: IRFZ44EPBF
Výrobce:: Infineon

řada: HEXFET Výkonový MOSFET N-kanálový 48 A 60 V Infineon, JEDEC TO-220AB, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Momentálně nedostupné

Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.

Skladové číslo RS:: 919-4937
Výrobní číslo:: IRFZ44EPBF
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Automobilový standard	Ne
	Řada	HEXFET
	Typ produktu	Výkonový MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id)	48 A
	Maximální napětí na zdroji (Vds)	60 V
	Typ balení	JEDEC TO-220AB
	Počet kolíků	3
	Režim kanálu	Vylepšení
	Přímé napětí (Vf)	1.3 V
	Výška	8.77 mm
	Délka	10.54 mm
	Maximální odpor zdroje (Rds)	0.023 Ω
	Maximální napětí zdroje brány (Vgs)	-20 V, +20 V
	Maximální provozní teplota	175 °C
	Maximální ztrátový výkon (Pd)	110 W
	Minimální provozní teplota	-55 °C
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Normy/schválení	ANSI Y14.5M, JEDEC TO-220AB
	Typický náboj brány (Qg) @ Vgs	60 nC
	Šířka	4.69 mm

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Automobilový standard Ne
	Řada HEXFET
	Typ produktu Výkonový MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) 48 A
	Maximální napětí na zdroji (Vds) 60 V
	Typ balení JEDEC TO-220AB
	Počet kolíků 3
	Režim kanálu Vylepšení
	Přímé napětí (Vf) 1.3 V
	Výška 8.77 mm
	Délka 10.54 mm
	Maximální odpor zdroje (Rds) 0.023 Ω
	Maximální napětí zdroje brány (Vgs) -20 V, +20 V
	Maximální provozní teplota 175 °C
	Maximální ztrátový výkon (Pd) 110 W
	Minimální provozní teplota -55 °C
	Typ montáže Průchozí otvor
	Normy/schválení ANSI Y14.5M, JEDEC TO-220AB
	Typický náboj brány (Qg) @ Vgs 60 nC
	Šířka 4.69 mm

Země původu (Country of Origin):: CN

Infineon HEXFET Series MOSFET, 48A Maximum Continuous Drain Current, 110W Maximum Power Dissipation - IRFZ44EPBF

This MOSFET features an N-channel configuration, making it suitable for industrial and automation applications. It supports high continuous drain current, which is advantageous for power applications. Designed for enhanced efficiency, it is Ideal for electric and electronic systems where quick switching and durability are necessary.

Features & Benefits

• Continuous drain current capability up to 48A for effective operation

• Operates at a drain-source voltage of 60V for power management

• Low Rds(on) improves efficiency and reduces power loss

• Packaged in TO-220AB for straightforward installation and heat dissipation

• Fully avalanche rated, ensuring reliability under stress conditions

Applications

• Power supply circuits for increased efficiency

• Motor control in automation tasks

• DC-DC converters for voltage regulation

• High-performance battery management systems

• Electronic switching devices for enhanced control

What is the maximum gate-to-source voltage for safe operation?

The maximum gate-to-source voltage is ±20V, ensuring proper functionality and safety during operation.

How can this component be effectively mounted?

It is designed for through-hole mounting, facilitating a robust attachment to PCB layouts or heatsinks.

What happens if the device exceeds its maximum junction temperature?

Exceeding the maximum junction temperature of 175°C can result in thermal damage; therefore, proper cooling management is essential.

Can this be used in high-speed switching applications?

Yes, it supports fast switching capabilities, making it suitable for applications requiring Rapid signal processing.

What is the typical power dissipation capability at room temperature?

At 25°C, it can dissipate up to 110W, allowing it to handle substantial power flow without overheating.