řada: LogicFETMOSFET IRL520NPBF N-kanálový 10 A 100 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
Skladové číslo RS:
919-4870
Výrobní číslo:
IRL520NPBF
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

10 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Typ balení

TO-220AB

Series

LogicFET

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

180 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

48 W

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-16 V, +16 V

Maximální pracovní teplota

+175 °C

Počet prvků na čip

1

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

20 nC při 5 V

Materiál tranzistoru

Si

Výška

8.77mm

Minimální provozní teplota

-55 °C

Země původu (Country of Origin):
CN

MOSFETy řady Infineon LogicFET, maximální trvalý proud na odtoku 10 A, maximální ztrátový výkon 48 W - IRL520NPBF


Tento MOSFET je určen pro různé aplikace s vysokým výkonem. Díky své N-kanálové konfiguraci a schopnosti režimu zesílení je vhodný pro spínací a zesilovací úlohy v automatizaci a elektrotechnice. S maximálním trvalým proudem na drenážích 10 A a maximálním napětím na drenážích 100 V poskytuje konzistentní výkon v náročných prostředích. Pouzdro typu TO-220AB umožňuje efektivní řízení tepla v různých montážních situacích.

Vlastnosti a výhody


• Vysoká kapacita rozptylu energie 48 W pro robustní výkon

• Nízký odpor 180 mΩ zvyšuje účinnost

• Široký rozsah provozních teplot od -55 °C do +175 °C zajišťuje spolehlivost

• Vhodné pro průchozí montáž, což usnadňuje integraci

• Zvýšené prahové napětí hradla mezi 1V a 2V optimalizuje řízení

• Konfigurace s jedním tranzistorem zjednodušuje návrh a montáž

Aplikace


• Využívá se v napájecích obvodech pro účinnou regulaci napětí

• Používá se v řídicích systémech motorů díky své vysoké proudové kapacitě

• Použitelné v průmyslové automatizaci pro efektivní spínání

• Integrace do řešení pro správu napájení pro energeticky úsporné konstrukce

Jaký typ chlazení se doporučuje pro optimální výkon?


Účinné chlazení je nezbytné pro zachování provozní účinnosti a zabránění přehřátí, zejména při vysokém zatížení.

Lze jej přímo nahradit jinými tranzistory MOSFET?


I když je možná přímá náhrada, je pro zajištění kompatibility a funkčnosti nezbytné zohlednit specifikace, jako jsou jmenovité hodnoty proudu a napětí, a také požadavky na pohon hradel.

Jaké je doporučené maximální napětí na hradle a zdroji?


Maximální napětí na hradle a zdroji by nemělo překročit -16 V až +16 V, aby nedošlo k poškození zařízení a byl zajištěn spolehlivý provoz.

Jak mám s tímto MOSFETem zacházet při instalaci?


Používejte opatření proti elektrostatickému výboji (ESD) a zajistěte bezpečné připojení, abyste předešli poruchám nebo přerušovanému provozu po instalaci do obvodu.

Je vhodný pro vysokofrekvenční aplikace?


Tento MOSFET je vhodný pro spínací aplikace, ale je třeba dbát na rychlost pohonu hradla a podmínky zatížení, aby nedošlo ke zhoršení výkonu při vyšších frekvencích.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.