řada: PowerTrench MOSFET FDS9431A Typ P-kanálový 3.5 A 20 V onsemi, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 917-5507
Výrobní číslo:: FDS9431A
Výrobce:: onsemi

řada: PowerTrench MOSFET FDS9431A Typ P-kanálový 3.5 A 20 V onsemi, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 25 kusech)*

343,025 Kč

(bez DPH)

415,05 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

2 500 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
25 - 75	13,721 Kč	343,03 Kč
100 - 225	11,824 Kč	295,60 Kč
250 +	10,252 Kč	256,30 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 917-5507
Výrobní číslo:: FDS9431A
Výrobce:: onsemi

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	onsemi
	Typ kanálu	Typ P
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	3.5A
	Maximální napětí na zdroji Vds	20V
	Řada	PowerTrench
	Typ balení	SOIC
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	130mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	6nC
	Přímé napětí Vf	-1.2V
	Maximální ztrátový výkon Pd	2.5W
	Maximální provozní teplota	150°C
	Délka	5mm
	Normy/schválení	No
	Výška	1.5mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka onsemi
	Typ kanálu Typ P
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 3.5A
	Maximální napětí na zdroji Vds 20V
	Řada PowerTrench
	Typ balení SOIC
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 130mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 6nC
	Přímé napětí Vf -1.2V
	Maximální ztrátový výkon Pd 2.5W
	Maximální provozní teplota 150°C
	Délka 5mm
	Normy/schválení No
	Výška 1.5mm
	Automobilový standard Ne

Rozšiřující režim, MOSFET P-Channel, ON on Semiconductor

Společnost ON Semiconductors řady P-Channel MOSFETS vyrábí s využitím technologie DMOS (polovlastní technologie), s vysokou hustotou buněk. Tento proces s velmi vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu a poskytoval robustní a spolehlivý výkon pro rychlé přepínání.

Charakteristiky a výhody:

• Malý signální spínač s kanálem P ovládaný napětím

• TCS s vysokou hustotou

• Vysoký sytost proudu

• vynikající přepínání

• Velmi odolný a spolehlivý výkon

• Technologie DMOS

Aplikace:

• Přepínání zatížení

• DC/DC převodník

• Ochrana baterií

• Ovládání řízení spotřeby

• Ovládání motoru stejnosměrným proudem

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi

U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.