řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 13 A 30 V onsemi, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 166-2447
- Výrobní číslo:
- FDS6679AZ
- Výrobce:
- onsemi
Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*
23 890,00 Kč
(bez DPH)
28 907,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 30. dubna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 2500 + | 9,556 Kč | 23 890,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 166-2447
- Výrobní číslo:
- FDS6679AZ
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 13A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | SOIC | |
| Řada | PowerTrench | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 9mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 68nC | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.5W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 25 V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 5mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1.5mm | |
| Šířka | 4 mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 13A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení SOIC | ||
Řada PowerTrench | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 9mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 68nC | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.5W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 25 V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 5mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1.5mm | ||
Šířka 4 mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Tranzistory MOSFET PowerTrench® jsou optimalizovanými napájecími přepínači, které nabízejí zvýšení efektivity systému a hustoty napájení. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny (QG), malé zatížení pro zpětné získávání (Qrr) a měkkou diodou pro zpětné získávání dat, která přispívá k rychlému přepínání synchronizované korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.
Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je FOM (obrázek o Meritu) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozích generací.
Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat obvody šňupavého modulu nebo nahradit tranzistory MOSFET s vyšším napětím.
Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi
U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.
U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.
Související odkazy
- Ne SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Ne SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Ne SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Ne SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Ne SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Ne SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Ne SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Ne SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení