řada: TK MOSFET TK20N60W,S1VF(S Typ N-kanálový 20 A 600 V Toshiba, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 891-2945
- Výrobní číslo:
- TK20N60W,S1VF(S
- Výrobce:
- Toshiba
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
114,61 Kč
(bez DPH)
138,678 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 57,305 Kč | 114,61 Kč |
| 10 - 38 | 50,39 Kč | 100,78 Kč |
| 40 - 98 | 44,215 Kč | 88,43 Kč |
| 100 - 198 | 41,25 Kč | 82,50 Kč |
| 200 + | 39,025 Kč | 78,05 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 891-2945
- Výrobní číslo:
- TK20N60W,S1VF(S
- Výrobce:
- Toshiba
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Toshiba | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 20A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | TK | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 155mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 48nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | -1.7V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 165W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 20.95mm | |
| Délka | 15.94mm | |
| Šířka | 5.02 mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Toshiba | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 20A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada TK | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 155mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 48nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf -1.7V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 165W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 20.95mm | ||
Délka 15.94mm | ||
Šířka 5.02 mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFET N-Channel, řada TK2x, Toshiba
Tranzistory MOSFET, Toshiba
Související odkazy
- NeS1VF(S Typ N-kanálový 20 A 600 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Ne TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- NeS1VF(S Typ N-kanálový 62 A 600 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- NeS1VF(S Typ N-kanálový 39 A 600 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Ne TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- NeS1VF(S Typ N-kanálový 20 A 600 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Ne TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Ne TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení