řada: HEXFET Výkonový MOSFET IRFP7718PBF N-kanálový 355 A 75 V Infineon, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 879-3325
- Výrobní číslo:
- IRFP7718PBF
- Výrobce:
- Infineon
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 879-3325
- Výrobní číslo:
- IRFP7718PBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 355A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 75V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.8mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 517W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 552nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 20.7mm | |
| Délka | 15.87mm | |
| Šířka | 5.31mm | |
| Normy/schválení | Lead-Free, RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 355A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 75V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.8mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 517W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 552nC | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 20.7mm | ||
Délka 15.87mm | ||
Šířka 5.31mm | ||
Normy/schválení Lead-Free, RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-kanálový výkon MOSFET 60 až 80 V, Infineon
Řada diskrétních výkonových MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení s N-kanálem v pouzdrech pro povrchovou montáž a v pouzdrech s vedením. A formální faktory, které mohou řešit téměř jakoukoli výzvu rozložení desky a tepelného designu. V celé řadě Benchmark na odpor snižuje ztráty vodivosti, což umožňuje návrhářům zajistit optimální účinnost systému.
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET IRFP7718PBF N-kanálový 355 A 75 V počet kolíků: 3 kolíkový Infineon Vylepšení 1 Jednoduchý
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 209 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFP2907PBF N-kanálový 209 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 75 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF2807ZPBF N-kanálový 75 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 43 A 43 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 270 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 57 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení