řada: HEXFET MOSFET IRFP2907PBF Typ N-kanálový 209 A 75 V Infineon, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 543-1500
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 303-41-348
- Výrobní číslo:
- IRFP2907PBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
155,86 Kč
(bez DPH)
188,59 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 70 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 1 778 jednotka(y) budou odesílané od 07. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 155,86 Kč |
| 10 - 24 | 147,95 Kč |
| 25 - 49 | 142,03 Kč |
| 50 - 99 | 135,36 Kč |
| 100 + | 125,72 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 543-1500
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 303-41-348
- Výrobní číslo:
- IRFP2907PBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 209A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 75V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 470W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 410nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 5.3mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 20.3mm | |
| Délka | 15.9mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 209A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 75V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 470W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 410nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 5.3mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 20.3mm | ||
Délka 15.9mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-kanálový výkon MOSFET 60 až 80 V, Infineon
Řada Infineon diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® obsahuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech. A tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s uspořádáním desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 209 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET Výkonový MOSFET IRFP7718PBF Typ N-kanálový 355 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFP7718PBF Typ N TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Infineon Vylepšení 1
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 75 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF2807ZPBF Typ N-kanálový 75 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 130 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 180 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 50 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení