řada: GigaMOS, HiperFET MOSFET MMIX1T550N055T2 Typ N-kanálový 550 A 55 V IXYS, SMPD, počet kolíků: 24 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 875-2500
- Výrobní číslo:
- MMIX1T550N055T2
- Výrobce:
- IXYS
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
1 149,93 Kč
(bez DPH)
1 391,42 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 20. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 1 | 1 149,93 Kč |
| 2 - 4 | 1 126,81 Kč |
| 5 - 9 | 1 092,48 Kč |
| 10 - 14 | 1 080,87 Kč |
| 15 + | 1 069,51 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 875-2500
- Výrobní číslo:
- MMIX1T550N055T2
- Výrobce:
- IXYS
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | IXYS | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 550A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 55V | |
| Řada | GigaMOS, HiperFET | |
| Typ balení | SMPD | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 24 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.3mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 595nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 830W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 25.25mm | |
| Výška | 5.7mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka IXYS | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 550A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 55V | ||
Řada GigaMOS, HiperFET | ||
Typ balení SMPD | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 24 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.3mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 595nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 830W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 25.25mm | ||
Výška 5.7mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ řady GigaMOS™
Tranzistory MOSFET, IXYS
Široká nabídka Advanced diskrétní tranzistorových MOSFET od společnosti IXYS
Související odkazy
- řada: GigaMOS SMPD, počet kolíků: 24 kolíkový Vylepšení
- řada: GigaMOS SMPD, počet kolíků: 24 kolíkový Vylepšení
- řada: GigaMOS SMPD, počet kolíků: 24 kolíkový Vylepšení
- řada: GigaMOS SMPD, počet kolíků: 24 kolíkový IXYS Vylepšení
- řada: GigaMOS SMPD, počet kolíků: 24 kolíkový Vylepšení
- řada: GigaMOS SMPD, počet kolíků: 24 kolíkový Vylepšení
- řada: GigaMOS Trench HiperFET MOSFET Typ N-kanálový 360 A 100 V IXYS počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: GigaMOS Trench HiperFET MOSFET Typ N-kanálový 420 A 100 V IXYS počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
