řada: DeepGate, STripFET MOSFET Typ N-kanálový 110 A 100 V STMicroelectronics, H2PAK, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 860-7523P
- Výrobní číslo:
- STH150N10F7-2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 10 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
854,60 Kč
(bez DPH)
1 034,10 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 22. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 10 - 18 | 85,46 Kč |
| 20 - 48 | 77,065 Kč |
| 50 - 98 | 69,405 Kč |
| 100 + | 66,075 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 860-7523P
- Výrobní číslo:
- STH150N10F7-2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 110A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | DeepGate, STripFET | |
| Typ balení | H2PAK | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.9mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 117nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 250W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 4.8mm | |
| Délka | 10.4mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 110A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada DeepGate, STripFET | ||
Typ balení H2PAK | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.9mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 117nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 250W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 4.8mm | ||
Délka 10.4mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.