řada: HEXFET MOSFET IRLL024NTRPBF Typ N-kanálový 4.4 A 55 V Infineon, SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 830-3300
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-44-473
- Výrobní číslo:
- IRLL024NTRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 20 kusech)*
299,86 Kč
(bez DPH)
362,84 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 200 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 1 340 jednotka(y) budou odesílané od 03. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 14,993 Kč | 299,86 Kč |
| 100 - 180 | 10,325 Kč | 206,50 Kč |
| 200 - 480 | 9,732 Kč | 194,64 Kč |
| 500 - 980 | 8,979 Kč | 179,58 Kč |
| 1000 + | 8,398 Kč | 167,96 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 830-3300
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-44-473
- Výrobní číslo:
- IRLL024NTRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 4.4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 55V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | SOT-223 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 100mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.1W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 10.4nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 1.739mm | |
| Délka | 6.7mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4.4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 55V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení SOT-223 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 100mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.1W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 10.4nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 1.739mm | ||
Délka 6.7mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-kanálový výkon MOSFET 55 V, Infineon
Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech a v provedení, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 4.4 A 55 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 5.2 A 55 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 2.8 A 55 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 5.1 A 55 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 2.6 A 150 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRLL2705TRPBF Typ N-kanálový 5.2 A 55 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRLL014NTRPBF Typ N-kanálový 2.8 A 55 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFL4315TRPBF Typ N-kanálový 2.6 A 150 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení