řada: HEXFET MOSFET IRLL014NTRPBF N-kanálový 2.8 A 55 V Infineon, SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 830-3307
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-44-472
- Výrobní číslo:
- IRLL014NTRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
352,73 Kč
(bez DPH)
426,80 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 125 jednotka(y) budou odesílané od 05. října 2026
- Plus 1 975 jednotka(y) budou odesílané od 12. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 14,109 Kč | 352,73 Kč |
| 125 - 225 | 10,858 Kč | 271,45 Kč |
| 250 - 600 | 10,157 Kč | 253,93 Kč |
| 625 - 1225 | 9,445 Kč | 236,13 Kč |
| 1250 + | 7,776 Kč | 194,40 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 830-3307
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-44-472
- Výrobní číslo:
- IRLL014NTRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2.8A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 55V | |
| Typ balení | SOT-223 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 280mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 9.5nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.1W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -16V, +16V | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 3.7mm | |
| Výška | 1.739mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 6.7mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2.8A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 55V | ||
Typ balení SOT-223 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 280mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 9.5nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.1W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -16V, +16V | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 3.7mm | ||
Výška 1.739mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 6.7mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFETy Infineon řady HEXFET, maximální trvalý proud na odtoku 2,8 A, maximální ztrátový výkon 2,1 W - IRLL014NTRPBF
Tento tranzistor MOSFET od společnosti Infineon, součást rodiny HEXFET, je navržen pro vysoký výkon v různých elektrických a elektronických aplikacích. Jako N-kanálové zařízení pracující v režimu vylepšení hraje důležitou roli v řízení spotřeby zařízení, která vyžadují vysokou spolehlivost v náročných podmínkách. Pokročilé technologie jsou integrovány tak, aby efektivně zvládaly značné elektrické zatížení při zachování kompaktního designu.
Vlastnosti a výhody
• Maximální trvalý vypouštěcí proud 2,8 A pro spolehlivý výkon
• Široký rozsah napětí až do 55 V pro různé aplikace
• Nízký zapínací odpor 280 mΩ minimalizuje ztráty výkonu
• Vysoká tepelná stabilita s maximální provozní teplotou +150 °C
• Rozšířené možnosti prahového napětí hradla pro zlepšení spínacích schopností
• Navrženo pro povrchovou montáž, což usnadňuje integraci do desek plošných spojů
Aplikace
• Využití v automatizačních systémech pro efektivní řízení motorů
• Použití v napájecích obvodech pro účinnou regulaci napětí
• Vhodné pro přepínání v elektronických zařízeních
• Integrace do systémů řízení baterií pro optimalizaci využití energie
• Použitelné v ovladačích LED pro zvýšení účinnosti řízení
Jaká je doporučená technika montáže pro optimální výkon?
Použití technik povrchové montáže zajišťuje lepší tepelný výkon a prostorovou efektivitu na deskách s plošnými spoji.
Jak by se mělo při návrhu obvodů zohlednit maximální napětí na hradle a zdroji?
Pro zajištění integrity a výkonu zařízení je důležité udržovat napětí na hradle a zdroji ve stanovených mezích -16 V až +16 V.
Zvládne tato součást vysoké teploty v provozním prostředí?
Je dimenzován pro provoz v prostředí s teplotou až +150 °C, takže je vhodný pro vysokoteplotní aplikace.
Je kompatibilní s nízkonapěťovými bateriovými systémy?
Ano, zvládne nízkonapěťové aplikace a zároveň poskytuje efektivní řízení výkonu a účinnost spínání.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 2.8 A 55 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFL024NTRPBF N-kanálový 2.8 A 55 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 5.1 A 55 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 5.2 A 55 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 4.4 A 55 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFL024ZTRPBF N-kanálový 5.1 A 55 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRLL024NTRPBF N-kanálový 4.4 A 55 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFL4105TRPBF N-kanálový 5.2 A 55 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení