AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200, řada: DMN53D0LW MOSFET DMN53D0LW-7 N-kanálový 360 mA 50 V DiodesZetex, SC-70, počet
- Skladové číslo RS:
- 828-3206
- Výrobní číslo:
- DMN53D0LW-7
- Výrobce:
- DiodesZetex
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 20 kusech)*
91,40 Kč
(bez DPH)
110,60 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 12. dubna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 4,57 Kč | 91,40 Kč |
| 100 - 180 | 2,013 Kč | 40,26 Kč |
| 200 - 480 | 1,84 Kč | 36,80 Kč |
| 500 - 980 | 1,766 Kč | 35,32 Kč |
| 1000 + | 1,285 Kč | 25,70 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 828-3206
- Výrobní číslo:
- DMN53D0LW-7
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 360mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 50V | |
| Typ balení | SC-70 | |
| Řada | DMN53D0LW | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 750mV | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 420mW | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 1.2nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 1.35mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 2.2mm | |
| Výška | 1mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 360mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 50V | ||
Typ balení SC-70 | ||
Řada DMN53D0LW | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 750mV | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 420mW | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 1.2nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 1.35mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 2.2mm | ||
Výška 1mm | ||
Automobilový standard AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | ||
N-Channel MOSFET, 40 V až 90 V, Diody Inc
Tranzistory MOSFET, Diode Inc.
Související odkazy
- AEC-Q100 AEC-Q200 SC-70, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q200 AEC-Q100 MOSFET DMN53D0LDW-7 N-kanálový 360 mA 50 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex
- AEC-Q200 AEC-Q100 MOSFET N-kanálový 360 mA 50 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 1
- AEC-Q101 AEC-Q200 SC-70, počet
- AEC-Q200 AEC-Q101 SC-70, počet kolíků: 3
- AEC-Q200 AEC-Q101 SC-70, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 AEC-Q200 SC-70, počet kolíků: 3
- AEC-Q101 AEC-Q200 UDFN, počet