AEC-Q101, řada: HEXFET Automobilový MOSFET IRFR4105ZTRPBF N-kanálový 30 A 55 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 20 kusech)*

426,82 Kč

(bez DPH)

516,46 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později

Ks
za jednotku
za balení*
20 - 8021,341 Kč426,82 Kč
100 - 18020,279 Kč405,58 Kč
200 - 48019,414 Kč388,28 Kč
500 - 98018,155 Kč363,10 Kč
1000 +17,068 Kč341,36 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
827-4066
Číslo zboží společnosti Distrelec:
304-44-462
Výrobní číslo:
IRFR4105ZTRPBF
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

N

Typ produktu

Automobilový MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

30A

Maximální napětí na zdroji Vds

55V

Řada

HEXFET

Typ balení

TO-252

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

24.5mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

120W

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

18nC

Maximální napětí zdroje brány Vgs

-20V, +20V

Přímé napětí Vf

1.3V

Maximální provozní teplota

175°C

Šířka

6.22mm

Normy/schválení

Automotive (Q101)

Délka

6.73mm

Výška

2.39mm

Automobilový standard

AEC-Q101

Země původu (Country of Origin):
CN

MOSFETy Infineon řady HEXFET, 30 A maximální trvalý vypouštěcí proud, 48 W maximální ztrátový výkon - IRFR4105ZTRPBF


Tento tranzistor MOSFET je navržen pro vysokou účinnost a spolehlivost v různých elektronických aplikacích. Je nezbytný pro regulaci a spínání napětí a díky svému robustnímu výkonu splňuje potřeby odvětví automatizace, elektroniky a elektrotechniky. Nízký odpor při zapnutí a schopnost zvládat vysoké trvalé proudy na výstupu umožňují použití v náročných prostředích.

Vlastnosti a výhody


• Maximální trvalý vypouštěcí proud 30 A zajišťuje vysoký výkon

• Pro vysokonapěťové aplikace pracuje s maximálním napětím drain-source 55 V

• Nízký RDS(on) 24,5mΩ zvyšuje energetickou účinnost

• Odolává teplotním výkyvům až do +175 °C

• Technologie režimu Enhancement zajišťuje spolehlivý spínaný provoz

• Obal DPAK TO-252 umožňuje snadnou povrchovou montáž

Aplikace


• Systémy řízení napájení pro účinnou regulaci napětí

• Motorové ovladače a výkonové měniče v automatizaci

• Spínané zdroje a měniče

• Spotřební elektronika vyžadující efektivní řízení spotřeby

Jaké je maximální prahové napětí hradla?


Maximální prahové napětí hradla je 4 V, což umožňuje optimální řízení hradla ve spínacích aplikacích.

Zvládne vysoké teploty?


Ano, tento MOSFET pracuje efektivně při teplotách od -55 °C do +175 °C, což je vhodné pro náročná prostředí.

Je tento MOSFET vhodný pro povrchovou montáž?


Ano, dodává se v pouzdře DPAK TO-252 určeném pro jednoduchou povrchovou montáž.

Jak si vede ve srovnání s jinými tranzistory MOSFET z hlediska ztrátového výkonu?


Maximální výkon je 48 W, což mu umožňuje efektivně zvládat značné zatížení.

Jaké typy aplikací jsou s touto komponentou nejkompatibilnější?


Je obzvláště účinný v aplikacích vyžadujících vysokou účinnost, včetně řízení motorů, výkonových měničů a elektrických systémů v automatizaci.

Související odkazy