Tranzistor MOSFET SCT2280KEC N-kanálový 14 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý SiC

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

148,71 Kč

(bez DPH)

179,94 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks
za jednotku
1 - 4148,71 Kč
5 - 6133,81 Kč
7 - 14121,67 Kč
15 - 29115,60 Kč
30 +113,12 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
826-6902
Výrobní číslo:
SCT2280KEC
Výrobce:
ROHM
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

ROHM

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

14 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

1200 V

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

388 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Maximální ztrátový výkon

108 W

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Šířka

20.95mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

36 nC při 18 V

Maximální pracovní teplota

+175 °C

Délka

15.9mm

Počet prvků na čip

1

Materiál tranzistoru

SiC

Výška

5.03mm

Tranzistory MOSFET N-Channel, ROHM


Silikonové tranzistory MOSFET Carbide (SiC) nabízejí nižší ztráty spínání a vynikající provozní vlastnosti při vysokých teplotách než jejich silikonové protějšky a jsou ideální pro vysoce efektivní aplikace přepínání na vysoké frekvenci.


Tranzistory MOSFET, ROHM Semiconductor

Související odkazy