řada: Phase Leg SiC MOSFET Moduly MOSFET MSCSMC120AM04TBZ2AEG N kanál-kanálový 266 A 1200 V Microchip Vylepšení

Mezisoučet (1 jednotka)*

3 100,84 Kč

(bez DPH)

3 752,02 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 31. května 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 +3 100,84 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
931-018
Výrobní číslo:
MSCSMC120AM04TBZ2AEG
Výrobce:
Microchip
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Microchip

Typ kanálu

N kanál

Typ produktu

Moduly MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

266A

Maximální napětí na zdroji Vds

1200V

Řada

Phase Leg SiC MOSFET

Typ montáže

Přímá montáž

Maximální odpor zdroje Rds

6mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-40°C

Přímé napětí Vf

4.7V

Maximální ztrátový výkon Pd

766W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

23V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

726nC

Maximální provozní teplota

175°C

Konfigurace tranzistoru

Poloviční můstek

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

Ne

Pokročilý napájecí modul Microchip nabízí vysoce efektivní řešení pro fázové konektory, které je navrženo speciálně pro náročné aplikace, kde je klíčová spolehlivost a výkon.

Využívá technologii karbidu křemíku pro nižší ztráty energie

Vyznačuje se nízkým kolísáním teploty R, což zajišťuje stabilní provoz

Obsahuje interní termistor pro přesné sledování teploty

Poskytuje vynikající výkon ve vysokofrekvenčních prostředích

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.