AEC-Q101 Výkonový MOSFET DMG6601LVT-7 Typ N, Typ P-kanálový 4.5 A 30 V, TSOT, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex
- Skladové číslo RS:
- 823-2915
- Výrobní číslo:
- DMG6601LVT-7
- Výrobce:
- DiodesZetex
Mezisoučet (1 balení po 50 kusech)*
349,75 Kč
(bez DPH)
423,20 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 450 jednotka(y) budou odesílané od 17. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 50 + | 6,995 Kč | 349,75 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 823-2915
- Výrobní číslo:
- DMG6601LVT-7
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N, Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 4.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | TSOT | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 190mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 0.75V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.3W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Délka | 2.9mm | |
| Výška | 0.9mm | |
| Normy/schválení | AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0 | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N, Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení TSOT | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 190mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 0.75V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.3W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 5.4nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Délka 2.9mm | ||
Výška 0.9mm | ||
Normy/schválení AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0 | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
Tranzistory MOSFET, Diode Inc.
Související odkazy
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET Typ N TSOT, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET DMC2038LVT-7 Typ N TSOT, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET DMG6602SVT-7 Typ N TSOT, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex
- AEC-Q101 TSOT, počet kolíků: 6 kolíkový
- AEC-Q101 TSOT, počet kolíků: 6 kolíkový
- AEC-Q101 TSOT, počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TSOT, počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET Typ N TSOT, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2