AEC-Q101 Výkonový MOSFET DMG6602SVT-7 Typ N, Typ P-kanálový 3.4 A 30 V, TSOT, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex
- Skladové číslo RS:
- 822-2532
- Výrobní číslo:
- DMG6602SVT-7
- Výrobce:
- DiodesZetex
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 100 kusech)*
692,10 Kč
(bez DPH)
837,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 75 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 100 - 500 | 6,921 Kč | 692,10 Kč |
| 600 - 1400 | 6,744 Kč | 674,40 Kč |
| 1500 + | 6,575 Kč | 657,50 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 822-2532
- Výrobní číslo:
- DMG6602SVT-7
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N, Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 3.4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | TSOT | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 140mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.27W | |
| Minimální provozní teplota | 150°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 4nC | |
| Přímé napětí Vf | 0.8V | |
| Maximální provozní teplota | -55°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Délka | 2.9mm | |
| Výška | 0.9mm | |
| Normy/schválení | J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101 | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N, Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 3.4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení TSOT | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 140mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.27W | ||
Minimální provozní teplota 150°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 4nC | ||
Přímé napětí Vf 0.8V | ||
Maximální provozní teplota -55°C | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Délka 2.9mm | ||
Výška 0.9mm | ||
Normy/schválení J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101 | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
Tranzistory MOSFET, Diode Inc.
Související odkazy
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET Typ N TSOT, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET DMG6601LVT-7 Typ N TSOT, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET DMC2038LVT-7 Typ N TSOT, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex
- AEC-Q101 TSOT, počet kolíků: 6 kolíkový
- AEC-Q101 TSOT, počet kolíků: 6 kolíkový
- AEC-Q101 TSOT, počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TSOT, počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET Typ N TSOT, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2