řada: Si4599DY MOSFET SI4599DY-T1-GE3 Typ N, Typ P-kanálový 6.8 A 40 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vishay Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 812-3233
- Výrobní číslo:
- SI4599DY-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Mezisoučet (1 balení po 20 kusech)*
118,36 Kč
(bez DPH)
143,22 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 9 340 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 20 + | 5,918 Kč | 118,36 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 812-3233
- Výrobní číslo:
- SI4599DY-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ N, Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6.8A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | SOIC | |
| Řada | Si4599DY | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.045Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 3.1W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Výška | 1.55mm | |
| Délka | 5mm | |
| Normy/schválení | JEDEC JS709A, RoHS | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ N, Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6.8A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení SOIC | ||
Řada Si4599DY | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.045Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 3.1W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Výška 1.55mm | ||
Délka 5mm | ||
Normy/schválení JEDEC JS709A, RoHS | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Duální N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor
Související odkazy
- řada: Si4599DY MOSFET Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vishay Vylepšení 2 Izolovaný
- řada: Si4431CDY MOSFET SI4431CDY-T1-GE3 Typ P-kanálový 7.2 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: Si4403CDY MOSFET SI4403CDY-T1-GE3 Typ P-kanálový 13.4 A 20 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: Si4435DDY MOSFET SI4435DDY-T1-GE3 Typ P-kanálový 8.1 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI4532CDY-T1-GE3 Typ P SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vishay Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI4925DDY-T1-GE3 Typ P-kanálový 8 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay Vylepšení 2
- řada: TrenchFET MOSFET SI4948BEY-T1-GE3 Typ P-kanálový 3.1 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay Vylepšení 2
- řada: TrenchFET MOSFET SI4554DY-T1-GE3 Typ P SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vishay Vylepšení 2