řada: TrenchFET MOSFET SI4948BEY-T1-GE3 Typ P-kanálový 3.1 A 60 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vishay Vylepšení 2

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

204,02 Kč

(bez DPH)

246,865 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 2 960 jednotka(y) budou odesílané od 11. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
5 - 4540,804 Kč204,02 Kč
50 - 24535,074 Kč175,37 Kč
250 - 49528,504 Kč142,52 Kč
500 - 124523,712 Kč118,56 Kč
1250 +21,638 Kč108,19 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
787-9008
Výrobní číslo:
SI4948BEY-T1-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ kanálu

Typ P

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

3.1A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Řada

TrenchFET

Typ balení

SOIC

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

150mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

2.4W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

14.5nC

Přímé napětí Vf

-0.8V

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Konfigurace tranzistoru

Izolovaný

Délka

5mm

Normy/schválení

No

Výška

1.5mm

Šířka

4 mm

Počet prvků na čip

2

Automobilový standard

Ne

Dvoukanálový MOSFET, Vishay Semiconductor


Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor


Související odkazy