řada: TrenchFET MOSFET SI1553CDL-T1-GE3 Typ P, Typ N-kanálový 700 mA 20 V, SC-70-6, počet kolíků: 6 kolíkový Vishay
- Skladové číslo RS:
- 812-3094
- Výrobní číslo:
- SI1553CDL-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Mezisoučet (1 balení po 20 kusech)*
142,66 Kč
(bez DPH)
172,62 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 560 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 20 + | 7,133 Kč | 142,66 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 812-3094
- Výrobní číslo:
- SI1553CDL-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ P, Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 700mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ balení | SC-70-6 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.48mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 340mW | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 12, -12V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 1.2nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Šířka | 1.35mm | |
| Výška | 1mm | |
| Délka | 2.2mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ P, Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 700mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ balení SC-70-6 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.48mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 340mW | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 12, -12V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 1.2nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Šířka 1.35mm | ||
Výška 1mm | ||
Délka 2.2mm | ||
Normy/schválení No | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
Duální N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor
Související odkazy
- řada: TrenchFET MOSFET Typ P SC-88, počet kolíků: 6 kolíkový Vishay Vylepšení 2 Izolovaný
- řada: TrenchFET Výkonový MOSFET SI1967DH-T1-GE3 Typ P-kanálový 1.1 A 20 V počet kolíků: 6 kolíkový Vishay
- řada: TrenchFET Výkonový MOSFET SI1922EDH-T1-GE3 Typ N-kanálový 1.3 A 20 V počet kolíků: 6 kolíkový Vishay
- řada: TrenchFET Výkonový MOSFET Typ P-kanálový 1.1 A 20 V počet kolíků: 6 kolíkový Vishay Vylepšení 2 Izolovaný
- řada: TrenchFET Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 1.3 A 20 V počet kolíků: 6 kolíkový Vishay Vylepšení 2 Izolovaný
- řada: TrenchFET MOSFET SI3585CDV-T1-GE3 Typ N TSOP, počet kolíků: 6 kolíkový Vishay
- řada: TrenchFET MOSFET SI4559ADY-T1-GE3 Typ P SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- řada: TrenchFET MOSFET SI3493DDV-T1-GE3 Typ P-kanálový 8 A 20 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení