řada: TrenchFET MOSFET SI1553CDL-T1-GE3 Typ P, Typ N-kanálový 700 mA 20 V, SC-70-6, počet kolíků: 6 kolíkový Vishay

Skladové číslo RS:: 165-6904
Výrobní číslo:: SI1553CDL-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

řada: TrenchFET MOSFET SI1553CDL-T1-GE3 Typ P, Typ N-kanálový 700 mA 20 V, SC-70-6, počet kolíků: 6 kolíkový Vishay

Mezisoučet (3000 jednotky/-ek, v kotouči po 3000 ks)*

7 839,00 Kč

(bez DPH)

9 486,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 16. dubna 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
3000 +	2,613 Kč	7 839,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 165-6904
Výrobní číslo:: SI1553CDL-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ kanálu	Typ P, Typ N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	700mA
	Maximální napětí na zdroji Vds	20V
	Řada	TrenchFET
	Typ balení	SC-70-6
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	6
	Maximální odpor zdroje Rds	1.48mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	1.2nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	12, -12V
	Maximální ztrátový výkon Pd	340mW
	Maximální provozní teplota	+150°C
	Konfigurace tranzistoru	Izolovaný
	Délka	2.2mm
	Výška	1mm
	Šířka	1.35mm
	Normy/schválení	No
	Počet prvků na čip	2
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ kanálu Typ P, Typ N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 700mA
	Maximální napětí na zdroji Vds 20V
	Řada TrenchFET
	Typ balení SC-70-6
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 6
	Maximální odpor zdroje Rds 1.48mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 1.2nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 12, -12V
	Maximální ztrátový výkon Pd 340mW
	Maximální provozní teplota +150°C
	Konfigurace tranzistoru Izolovaný
	Délka 2.2mm
	Výška 1mm
	Šířka 1.35mm
	Normy/schválení No
	Počet prvků na čip 2
	Automobilový standard Ne

Země původu (Country of Origin):: PH

MOSFET řady Vishay TrenchFET, maximální zdrojové napětí vypouštění 20 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 700 mA – SI1553CDL-T1-GE3

Tento MOSFET je kompaktní dvoukanálový tranzistor pro povrchovou montáž navržený pro spínací a analogové úkoly v malých sestavách. Na jednom čipu integruje zařízení s P-kanálem i N-kanálem, což umožňuje doplňkové spínací topologie a zjednodušené požadavky na půdorysnost pro konstruktéry pracující s nízkonapěťovými napájecími lištami a spínáním úrovně signálu.

Charakteristiky a výhody:

• Velmi nízké hodnoty Rds(on) 1.48 mΩ pro menší ztráty při vedení
• Typický náboj hradla Qg 1,2 nC pro rychlejší odezvu hradla
• Jmenovitý nepřetržitý vypouštěcí proud 700 mA pro přepínání při střední zátěži
• Maximální Vds 20 V pro podporu nízkonapěťových výkonových domén
• Schopnost rozptylu výkonu 340 mW pro řízení tepelné zátěže

Aplikace

• Vhodné pro správu baterií a rozvodné obvody
• Ideální pro přepínání zátěže v přenosných přístrojích
• Používá se se stupni FET s posunem úrovně a doplňkovými stupni FET
• Lze použít pro nízkonapěťové stupně budiče pro řízení motoru

Jaký typ pouzdra používá a kolik kolíků je přítomno?

Dodává se v šestikolíkovém pouzdru SC-70 SMD, které šetří plochu desky a zároveň poskytuje samostatné svorky pro dvě zařízení.

Jaké limity napětí hradla by měla konstrukce dodržovat?

Napětí mezi bránou a zdrojem musí být v rozsahu ±12 V, aby se zabránilo namáhání zařízení a zajistil bezpečný provoz.

Jaký rozsah provozních teplot lze při nasazení očekávat?

Toleruje široký rozsah okolních teplot od -55 °C do 150 °C, což podporuje náročné tepelné prostředí.

Obsahuje zařízení více prvků na jednu čelisti a jak to ovlivňuje uspořádání?

Čip obsahuje dva diskrétní prvky, které umožňují zrcadlové směrování pro doplňkové obvody a snižují počet součástí.