řada: TrenchFET MOSFET SI1025X-T1-GE3 Typ P, Typ P-kanálový 135 mA 60 V, SC-89-6, počet kolíků: 6 kolíkový Vishay

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
Typy balení:
Skladové číslo RS:
812-3029
Výrobní číslo:
SI1025X-T1-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ P, Typ P

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

135mA

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Typ balení

SC-89-6

Řada

TrenchFET

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

6

Maximální odpor zdroje Rds

8Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

250mW

Typický náboj brány Qg @ Vgs

1.7nC

Přímé napětí Vf

-1.4V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Konfigurace tranzistoru

Izolovaný

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

1.7mm

Normy/schválení

No

Šířka

1.2mm

Výška

0.6mm

Počet prvků na čip

2

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
PH

Dvojitý MOSFET s P-kanálem, Vishay Semiconductor


Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor


Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.