řada: TrenchFET MOSFET SI1029X-T1-GE3 Typ P, Typ N-kanálový 300 mA 60 V, SC-89-6, počet kolíků: 6 kolíkový Vishay
- Skladové číslo RS:
- 787-9055
- Výrobní číslo:
- SI1029X-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 20 kusech)*
225,76 Kč
(bez DPH)
273,16 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 1 360 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 11,288 Kč | 225,76 Kč |
| 200 - 480 | 10,609 Kč | 212,18 Kč |
| 500 - 980 | 9,609 Kč | 192,18 Kč |
| 1000 - 1980 | 9,04 Kč | 180,80 Kč |
| 2000 + | 8,472 Kč | 169,44 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 787-9055
- Výrobní číslo:
- SI1029X-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P, Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 300mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ balení | SC-89-6 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 8Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.4V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 750nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 250mW | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Šířka | 1.7mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 1.7mm | |
| Výška | 0.6mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P, Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 300mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ balení SC-89-6 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 8Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1.4V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 750nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 250mW | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Šířka 1.7mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 1.7mm | ||
Výška 0.6mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
Duální N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor
Související odkazy
- řada: TrenchFET MOSFET SI1025X-T1-GE3 Typ P SC-89-6, počet kolíků: 6 kolíkový Vishay
- řada: TrenchFET MOSFET SI1034CX-T1-GE3 Typ N-kanálový 0.5 A 20 V počet kolíků: 6 kolíkový Vishay Vylepšení 2
- řada: TrenchFET MOSFET Typ N-kanálový 0.5 A 20 V počet kolíků: 6 kolíkový Vishay Vylepšení 2 Duální
- řada: TrenchFET MOSFET SI3585CDV-T1-GE3 Typ N TSOP, počet kolíků: 6 kolíkový Vishay
- řada: TrenchFET MOSFET SI3493DDV-T1-GE3 Typ P-kanálový 8 A 20 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET Výkonový MOSFET SI3993CDV-T1-GE3 Typ P-kanálový 2.3 A 30 V počet kolíků: 6 kolíkový Vishay
- řada: TrenchFET MOSFET SI3421DV-T1-GE3 Typ P-kanálový 8 A 30 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI3477DV-T1-GE3 Typ P-kanálový 8 A 12 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení