řada: TrenchFET MOSFET SI1029X-T1-GE3 Typ P, Typ N-kanálový 300 mA 60 V, SC-89-6, počet kolíků: 6 kolíkový Vishay

Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Typy balení:
Skladové číslo RS:
787-9055
Výrobní číslo:
SI1029X-T1-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ kanálu

Typ P, Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

300mA

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Typ balení

SC-89-6

Řada

TrenchFET

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

6

Maximální odpor zdroje Rds

8Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální napětí zdroje brány Vgs

-20V, +20V

Přímé napětí Vf

1.4V

Maximální ztrátový výkon Pd

250mW

Typický náboj brány Qg @ Vgs

750nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Konfigurace tranzistoru

Izolovaný

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

1.7mm

Šířka

1.7mm

Normy/schválení

No

Výška

600μm

Počet prvků na čip

2

Automobilový standard

Ne

Duální N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor


Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.