řada: PowerTrench MOSFET FDC654P Typ P-kanálový 3.6 A 30 V onsemi, SOT-23, počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 páska po 20 kusech)*

54,34 Kč

(bez DPH)

65,76 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Poslední zásoby RS
  • Posledních 4 780 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks
za jednotku
za pásku*
20 +2,717 Kč54,34 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
809-0862
Výrobní číslo:
FDC654P
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ kanálu

Typ P

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

3.6A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Typ balení

SOT-23

Řada

PowerTrench

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

6

Maximální odpor zdroje Rds

125mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

6.2nC

Přímé napětí Vf

-1.2V

Maximální ztrátový výkon Pd

1.6W

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Šířka

1.7 mm

Výška

1mm

Délka

3mm

Automobilový standard

Ne

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Tranzistory MOSFET PowerTrench® jsou optimalizovanými napájecími přepínači, které nabízejí zvýšení efektivity systému a hustoty napájení. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny (QG), malé zatížení pro zpětné získávání (Qrr) a měkkou diodou pro zpětné získávání dat, která přispívá k rychlému přepínání synchronizované korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.

Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je FOM (obrázek o Meritu) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozích generací.

Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat obvody šňupavého modulu nebo nahradit tranzistory MOSFET s vyšším napětím.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy