řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 1.25 A 60 V onsemi, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

10 533,00 Kč

(bez DPH)

12 744,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 45 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
3000 +3,511 Kč10 533,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
166-1716
Výrobní číslo:
FDN5618P
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ P

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

1.25A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Typ balení

SOT-23

Řada

PowerTrench

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

170mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

500mW

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

8.6nC

Přímé napětí Vf

-1.2V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Délka

2.92mm

Šířka

1.4 mm

Výška

0.94mm

Automobilový standard

Ne

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Tranzistory MOSFET PowerTrench® jsou optimalizovanými napájecími přepínači, které nabízejí zvýšení efektivity systému a hustoty napájení. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny (QG), malé zatížení pro zpětné získávání (Qrr) a měkkou diodou pro zpětné získávání dat, která přispívá k rychlému přepínání synchronizované korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.

Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je FOM (obrázek o Meritu) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozích generací.

Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat obvody šňupavého modulu nebo nahradit tranzistory MOSFET s vyšším napětím.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy