řada: PowerTrench MOSFET FDN5618P Typ P-kanálový 1.25 A 60 V onsemi, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

67,18 Kč

(bez DPH)

81,29 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 5 jednotka(y) budou odesílané od 08. června 2026
  • Plus 125 jednotka(y) budou odesílané od 08. června 2026
  • Plus 40 795 jednotka(y) budou odesílané od 15. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
5 - 4513,436 Kč67,18 Kč
50 - 9512,696 Kč63,48 Kč
100 - 24510,72 Kč53,60 Kč
250 - 49510,078 Kč50,39 Kč
500 +9,484 Kč47,42 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
671-0463
Výrobní číslo:
FDN5618P
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ kanálu

Typ P

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

1.25A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Řada

PowerTrench

Typ balení

SOT-23

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

170mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

-1.2V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

8.6nC

Maximální ztrátový výkon Pd

500mW

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Výška

0.94mm

Délka

2.92mm

Automobilový standard

Ne

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Tranzistory MOSFET PowerTrench® jsou optimalizovanými napájecími přepínači, které nabízejí zvýšení efektivity systému a hustoty napájení. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny (QG), malé zatížení pro zpětné získávání (Qrr) a měkkou diodou pro zpětné získávání dat, která přispívá k rychlému přepínání synchronizované korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.

Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je FOM (obrázek o Meritu) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozích generací.

Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat obvody šňupavého modulu nebo nahradit tranzistory MOSFET s vyšším napětím.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.