řada: QFET MOSFET FQD5N60CTM Typ N-kanálový 2.8 A 600 V onsemi, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 808-9014
- Výrobní číslo:
- FQD5N60CTM
- Výrobce:
- onsemi
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Nedostatečné zásobování
Vzhledem ke globálnímu nedostatku dodávek, nevíme, kdy tato položka bude znovu skladem.
- Skladové číslo RS:
- 808-9014
- Výrobní číslo:
- FQD5N60CTM
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2.8A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | QFET | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2.5Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 49W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 15nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.4V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 6.73mm | |
| Výška | 2.39mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2.8A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada QFET | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2.5Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 49W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 15nC | ||
Přímé napětí Vf 1.4V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 6.73mm | ||
Výška 2.39mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
QFET® N-Channel MOSFET, až 5,9A, Fairchild Semiconductor
Nové planetární tranzistory MOSFET® společnosti Fairchild Semiconductor využívají Advanced, patentovanou technologii, která nabízí nejlepší provozní výkon ve své třídě pro širokou řadu aplikací, včetně napájecích zdrojů, PFC (korekce účiníku), DC-DC převodníků, plazmových panelů displeje (PDP), světelné předřadníky a ovládání pohybu.
Nabízejí snížení ztrát ve stavu snížením odporu (RDS(on)) a snížení ztráty spínání snížením nabití brány (QG) a kapacity výstupu (Coss). Díky Advanced procesní technologii QFET® může Fairchild nabídnout lepší hodnotu oproti konkurenčním planetovým zařízením MOSFET.
Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi
U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.
U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.
Související odkazy
- řada: QFET MOSFET Typ N-kanálový 2.8 A 600 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ P-kanálový 12 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ P-kanálový 9.4 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ N-kanálový 9 A 200 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ P-kanálový 1.33 A 500 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ N-kanálový 15.6 A 100 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ N-kanálový 10 A 100 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET FQD3P50TM Typ P-kanálový 1.33 A 500 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení