řada: QFET MOSFET FQD13N10LTM Typ N-kanálový 10 A 100 V onsemi, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 671-0952
- Výrobní číslo:
- FQD13N10LTM
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
146,47 Kč
(bez DPH)
177,23 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 2 125 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 29,294 Kč | 146,47 Kč |
| 50 - 95 | 25,194 Kč | 125,97 Kč |
| 100 - 495 | 21,934 Kč | 109,67 Kč |
| 500 - 995 | 19,266 Kč | 96,33 Kč |
| 1000 + | 17,438 Kč | 87,19 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 671-0952
- Výrobní číslo:
- FQD13N10LTM
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 10A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | QFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 180mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.5W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 8.7nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 2.3mm | |
| Délka | 6.6mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 10A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada QFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 180mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.5W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 8.7nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 2.3mm | ||
Délka 6.6mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
QFET® N-Channel MOSFET, 6 A až 10,9A, Fairchild Semiconductor
Nové planetární tranzistory MOSFET® společnosti Fairchild Semiconductor využívají Advanced, patentovanou technologii, která nabízí nejlepší provozní výkon ve své třídě pro širokou řadu aplikací, včetně napájecích zdrojů, PFC (korekce účiníku), DC-DC převodníků, plazmových panelů displeje (PDP), světelné předřadníky a ovládání pohybu.
Nabízejí snížení ztrát ve stavu snížením odporu (RDS(on)) a snížení ztráty spínání snížením nabití brány (QG) a kapacity výstupu (Coss). Díky Advanced procesní technologii QFET® může Fairchild nabídnout lepší hodnotu oproti konkurenčním planetovým zařízením MOSFET.
Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi
U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.
U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.
Související odkazy
- řada: QFET MOSFET Typ N-kanálový 10 A 100 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ N-kanálový 9 A 200 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ N-kanálový 2.8 A 600 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ N-kanálový 15.6 A 100 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET FQD19N10LTM Typ N-kanálový 15.6 A 100 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET FQD12N20LTM Typ N-kanálový 9 A 200 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET FQD5N60CTM Typ N-kanálový 2.8 A 600 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET FQD13N10TM Typ N-kanálový 10 A 100 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení