řada: PowerTrench MOSFET FDS3890 Typ N-kanálový 4.7 A 80 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- Skladové číslo RS:
- 806-3630
- Výrobní číslo:
- FDS3890
- Výrobce:
- onsemi
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
306,53 Kč
(bez DPH)
370,90 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
- 3 860 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 61,306 Kč | 306,53 Kč |
| 10 - 95 | 49,45 Kč | 247,25 Kč |
| 100 - 245 | 40,31 Kč | 201,55 Kč |
| 250 - 495 | 39,124 Kč | 195,62 Kč |
| 500 + | 33,246 Kč | 166,23 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 806-3630
- Výrobní číslo:
- FDS3890
- Výrobce:
- onsemi
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 4.7A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Řada | PowerTrench | |
| Typ balení | SOIC | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 82mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 0.74V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2W | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 4.9mm | |
| Šířka | 3.9mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1.575mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4.7A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Řada PowerTrench | ||
Typ balení SOIC | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 82mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 0.74V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2W | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 4.9mm | ||
Šířka 3.9mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1.575mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi
Související odkazy
- řada: PowerTrench MOSFET Typ N-kanálový 4.7 A 80 V počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- řada: PowerTrench MOSFET Typ N-kanálový 4.5 A 100 V počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 7 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 6.9 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- řada: PowerTrench MOSFET Typ N-kanálový 3.5 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- řada: PowerTrench MOSFET Typ N-kanálový 6.5 A 20 V počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- řada: PowerTrench MOSFET Typ N-kanálový 6 A 40 V počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 2.3 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
