řada: PowerTrench MOSFET Typ N-kanálový 6.5 A 20 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- Skladové číslo RS:
- 166-2631
- Výrobní číslo:
- FDS9926A
- Výrobce:
- onsemi
Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*
16 257,50 Kč
(bez DPH)
19 672,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 2 500 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 2500 + | 6,503 Kč | 16 257,50 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 166-2631
- Výrobní číslo:
- FDS9926A
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Řada | PowerTrench | |
| Typ balení | SOIC | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 30mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 0.73V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 10 V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 6.2nC | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 1.5mm | |
| Šířka | 4 mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 5mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Řada PowerTrench | ||
Typ balení SOIC | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 30mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 0.73V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 10 V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 6.2nC | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 1.5mm | ||
Šířka 4 mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 5mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Na semiši PowerTrench® MOFETS jsou optimalizovány výkonové přepínače, které nabízejí vyšší efektivitu systému a vyšší hustotu energie. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny, malé obnovení zpětného chodu a měkkou diodou pro zpětné zotavení, které přispívají k rychlému přepínání synchronní korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.
Výkon diody s měkkým tělem MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat obvod s šňupavým klipem nebo nahradit tranzistor MOSFET s vyšším napětím.
Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi
U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.
U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.
Související odkazy
- Ne SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2
- Ne Typ N-kanálový 6.5 A 20 V počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení
- Ne Typ N-kanálový 6.5 A 20 V počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2
- Ne SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- Ne SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- Ne SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- Ne SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- Ne SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný