AEC-Q101 MOSFET NVF3055L108T1G Typ N-kanálový 3 A 60 V onsemi, SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 805-8717
- Výrobní číslo:
- NVF3055L108T1G
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 páska po 25 kusech)*
502,90 Kč
(bez DPH)
608,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- Plus 350 jednotka(y) budou odesílané od 02. února 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 20,116 Kč | 502,90 Kč |
| 100 - 225 | 17,349 Kč | 433,73 Kč |
| 250 + | 15,037 Kč | 375,93 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 805-8717
- Výrobní číslo:
- NVF3055L108T1G
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 3A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | SOT-223 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 120mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 15 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.1W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Přímé napětí Vf | 0.87V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 3.7 mm | |
| Výška | 1.65mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 6.7mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 3A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení SOT-223 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 120mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 15 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.1W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Přímé napětí Vf 0.87V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 3.7 mm | ||
Výška 1.65mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 6.7mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor
Tranzistory MOSFET, on Semiconductor
Související odkazy
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 3 A 60 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-223, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-223, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- onsemi počet kolíků: 3 kolíkový 42 V, SOT-223
- onsemi počet kolíků: 3 kolíkový 42 V, SOT-223
- onsemi počet kolíků: 3 kolíkový 42 V, SOT-223
- Ne MOSFET Typ N-kanálový 3 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
