řada: HiperFET, Q3-ClassMOSFET IXFR48N60Q3 N-kanálový 32 A 600 V, ISOPLUS247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 801-1443
- Výrobní číslo:
- IXFR48N60Q3
- Výrobce:
- IXYS
Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
- Skladové číslo RS:
- 801-1443
- Výrobní číslo:
- IXFR48N60Q3
- Výrobce:
- IXYS
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | IXYS | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 32 A | |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 600 V | |
| Řada | HiperFET, Q3-Class | |
| Typ balení | ISOPLUS247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 154 mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální prahové napětí řídicí elektrody | 6.5V | |
| Maximální ztrátový výkon | 500 W | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -30 V, +30 V | |
| Maximální pracovní teplota | +150 °C | |
| Materiál tranzistoru | Si | |
| Délka | 16.13mm | |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 140 nC při 10 V | |
| Šířka | 5.21mm | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Výška | 21.34mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka IXYS | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 32 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 600 V | ||
Řada HiperFET, Q3-Class | ||
Typ balení ISOPLUS247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 154 mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální prahové napětí řídicí elektrody 6.5V | ||
Maximální ztrátový výkon 500 W | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -30 V, +30 V | ||
Maximální pracovní teplota +150 °C | ||
Materiál tranzistoru Si | ||
Délka 16.13mm | ||
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 140 nC při 10 V | ||
Šířka 5.21mm | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
Výška 21.34mm | ||
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ řady Q
IXYS Q3 třídy výkonových tranzistorů MOSFET HiperFET™ jsou vhodné pro použití v režimu silného i rezonančního provozu a nabízejí nízké nabití brány s výjimečnou robustností. Přístroje obsahují rychlou vnitřní diodu a jsou k dispozici v řadě standardních balení, včetně izolovaných typů, s hodnocením až 1100V a 70A. Typické aplikace zahrnují měniče DC-DC, nabíječky baterií, režimy přepínání a rezonanční napájecí zdroje, měniče DC, ovládání teploty a osvětlení.
Rychle zabudovaná usměrňovací dioda
Nízká úroveň RDS(on) a QG (nabíjení brány)
Nízký vnitřní odpor brány
Balení podle průmyslových norem
Nízká indukčnost součástky
Vysoká hustota výkonu
Tranzistory MOSFET, IXYS
Široká nabídka Advanced diskrétní tranzistorových MOSFET od společnosti IXYS
Související odkazy
- řada: Q3-Class Výkonový MOSFET IXFR48N60Q3 Typ N-kanálový 32 A 600 V IXYS počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HiperFET TO-268, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: HiperFET ISOPLUS247, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HiperFET ISOPLUS247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET ISOPLUS247, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HiperFET ISOPLUS247, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HiperFET ISOPLUS247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET ISOPLUS247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení