řada: HiperFET, Q3-Class MOSFET IXFR64N50Q3 Typ N-kanálový 45 A 500 V IXYS, ISOPLUS247, počet kolíků: 3 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 jednotka)*

670,37 Kč

(bez DPH)

811,15 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 300 jednotka(y) budou odesílané od 30. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 +670,37 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
801-1452
Číslo zboží společnosti Distrelec:
302-53-398
Výrobní číslo:
IXFR64N50Q3
Výrobce:
IXYS
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

IXYS

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

45A

Maximální napětí na zdroji Vds

500V

Typ balení

ISOPLUS247

Řada

HiperFET, Q3-Class

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

94mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

500W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

145nC

Přímé napětí Vf

1.4V

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

16.13mm

Výška

21.34mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ řady Q


IXYS Q3 třídy výkonových tranzistorů MOSFET HiperFET™ jsou vhodné pro použití v režimu silného i rezonančního provozu a nabízejí nízké nabití brány s výjimečnou robustností. Přístroje obsahují rychlou vnitřní diodu a jsou k dispozici v řadě standardních balení, včetně izolovaných typů, s hodnocením až 1100V a 70A. Typické aplikace zahrnují měniče DC-DC, nabíječky baterií, režimy přepínání a rezonanční napájecí zdroje, měniče DC, ovládání teploty a osvětlení.

Rychle zabudovaná usměrňovací dioda

Nízká úroveň RDS(on) a QG (nabíjení brány)

Nízký vnitřní odpor brány

Balení podle průmyslových norem

Nízká indukčnost součástky

Vysoká hustota výkonu

Tranzistory MOSFET, IXYS


Široká nabídka Advanced diskrétní tranzistorových MOSFET od společnosti IXYS

Související odkazy