řada: TK MOSFET TK100E10N1 N-kanálový 207 A 100 V Toshiba, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 796-5070
- Výrobní číslo:
- TK100E10N1
- Výrobce:
- Toshiba
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
105,72 Kč
(bez DPH)
127,92 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 157 jednotka(y) budou odesílané od 07. září 2026
- Plus 277 jednotka(y) budou odesílané od 14. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 24 | 105,72 Kč |
| 25 - 99 | 99,79 Kč |
| 100 - 349 | 95,34 Kč |
| 350 - 499 | 84,97 Kč |
| 500 + | 79,04 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 796-5070
- Výrobní číslo:
- TK100E10N1
- Výrobce:
- Toshiba
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Toshiba | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 207A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | TK | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.4mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 255W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 140nC | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 4.45mm | |
| Délka | 10.16mm | |
| Výška | 15.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Toshiba | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 207A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada TK | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.4mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 255W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 140nC | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 4.45mm | ||
Délka 10.16mm | ||
Výška 15.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tranzistory MOSFET, Toshiba
Související odkazy
- řada: TK MOSFET Typ N-kanálový 207 A 100 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET TK100A10N1 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET Typ N-kanálový 105 A 60 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET Typ N-kanálový 43 A 60 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET Typ N-kanálový 214 A 80 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET Typ N-kanálový 55 A 80 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET TK35E08N1 Typ N-kanálový 55 A 80 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET TK40E06N1 Typ N-kanálový 60 A 60 V počet kolíků: 3 kolíkový Toshiba Vylepšení