AEC-Q101, řada: STripFET II MOSFET Typ N-kanálový 60 A 60 V STMicroelectronics, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 795-6944P
- Výrobní číslo:
- STB60NF06LT4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet 25 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
1 223,90 Kč
(bez DPH)
1 480,925 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 27. května 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 25 - 45 | 48,956 Kč |
| 50 - 120 | 44,064 Kč |
| 125 - 245 | 39,618 Kč |
| 250 + | 37,692 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 795-6944P
- Výrobní číslo:
- STB60NF06LT4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 60A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | STripFET II | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 14mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 15 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 110W | |
| Minimální provozní teplota | -65°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 35nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 4.6mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.4mm | |
| Šířka | 9.35 mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 60A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada STripFET II | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 14mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 15 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 110W | ||
Minimální provozní teplota -65°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 35nC | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 4.6mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.4mm | ||
Šířka 9.35 mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.