řada: TP0610K MOSFET TP0610K-T1-GE3 Typ P-kanálový 185 mA 60 V Vishay, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 787-9018
- Výrobní číslo:
- TP0610K-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 20 kusech)*
160,06 Kč
(bez DPH)
193,68 Kč
(s DPH)
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 8,003 Kč | 160,06 Kč |
| 200 - 480 | 7,534 Kč | 150,68 Kč |
| 500 - 980 | 6,805 Kč | 136,10 Kč |
| 1000 - 1980 | 6,385 Kč | 127,70 Kč |
| 2000 + | 6,015 Kč | 120,30 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 787-9018
- Výrobní číslo:
- TP0610K-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 185mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | TP0610K | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 10Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 1.7nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 350mW | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Přímé napětí Vf | -1.4V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 1.4mm | |
| Délka | 3.04mm | |
| Výška | 1.02mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 185mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada TP0610K | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 10Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 1.7nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 350mW | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Přímé napětí Vf -1.4V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 1.4mm | ||
Délka 3.04mm | ||
Výška 1.02mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor
Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor
Související odkazy
- řada: TP0610K MOSFET TP0610K-T1-E3 Typ P-kanálový 190 mA 60 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI2347DS-T1-GE3 Typ P-kanálový 5 A 30 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI2365EDS-T1-GE3 Typ P-kanálový 5.9 A 20 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI2337DS-T1-GE3 Typ P-kanálový 2.2 A 80 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: Si2377EDS MOSFET SI2377EDS-T1-GE3 Typ P-kanálový 3.5 A 20 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI2399DS-T1-GE3 Typ P-kanálový 6 A 20 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI2307CDS-T1-GE3 Typ P-kanálový 3.5 A 30 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI2369DS-T1-GE3 Typ P-kanálový 7.6 A 30 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
