řada: NTZS3151P MOSFET NTZS3151PT1G Typ P-kanálový 950 mA 20 V onsemi, SOT-563, počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 780-4806
- Výrobní číslo:
- NTZS3151PT1G
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
170,925 Kč
(bez DPH)
206,825 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 14. června 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 6,837 Kč | 170,93 Kč |
| 100 - 225 | 5,888 Kč | 147,20 Kč |
| 250 - 475 | 5,108 Kč | 127,70 Kč |
| 500 - 975 | 4,496 Kč | 112,40 Kč |
| 1000 + | 4,09 Kč | 102,25 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 780-4806
- Výrobní číslo:
- NTZS3151PT1G
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 950mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Řada | NTZS3151P | |
| Typ balení | SOT-563 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 240mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 210mW | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 5.6nC | |
| Přímé napětí Vf | -0.9V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 1.7mm | |
| Výška | 0.6mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 950mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Řada NTZS3151P | ||
Typ balení SOT-563 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 240mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 210mW | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 5.6nC | ||
Přímé napětí Vf -0.9V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 1.7mm | ||
Výška 0.6mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Napájecí MOSFET s kanálem P, 20 V, on Semiconductor
Tranzistory MOSFET, on Semiconductor
Související odkazy
- řada: NTZS3151P MOSFET Typ P-kanálový 950 mA 20 V onsemi počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- Malý signál Typ P-kanálový 430 mA 20 V počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- Malý signál NTZD3152PT1G Typ P-kanálový 430 mA 20 V počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- MOSFET Typ N-kanálový 280 mA 60 V počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- MOSFET 2N7002V Typ N-kanálový 280 mA 60 V počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- Malý signál Typ N-kanálový 540 mA 20 V počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Duální
- Malý signál NTZD3154NT1G Typ N-kanálový 540 mA 20 V počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Duální
- onsemi Lavinová dioda počet kolíků: 6 kolíkový
