řada: NTS2101P MOSFET NTS2101PT1G Typ P-kanálový 1.5 A 8 V onsemi, SOT-323, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 780-4755
- Výrobní číslo:
- NTS2101PT1G
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
121,275 Kč
(bez DPH)
146,75 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 3 000 jednotka(y) budou odesílané od 07. dubna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 4,851 Kč | 121,28 Kč |
| 100 - 225 | 4,189 Kč | 104,73 Kč |
| 250 - 475 | 3,626 Kč | 90,65 Kč |
| 500 - 975 | 3,191 Kč | 79,78 Kč |
| 1000 + | 2,905 Kč | 72,63 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 780-4755
- Výrobní číslo:
- NTS2101PT1G
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 1.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 8V | |
| Typ balení | SOT-323 | |
| Řada | NTS2101P | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 210mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 330mW | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 0.9mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 2.2mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 1.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 8V | ||
Typ balení SOT-323 | ||
Řada NTS2101P | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 210mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 6.4nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 330mW | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 0.9mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 2.2mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Napájecí MOSFET s kanálem P, 8 V, ON on Semiconductor
Tranzistory MOSFET, on Semiconductor
Související odkazy
- řada: NTS2101P MOSFET Typ P-kanálový 1.5 A 8 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: RZF013P01 MOSFET RZF013P01TL Typ P-kanálový 1.3 A 12 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: RSF010P05 MOSFET RSF010P05TL Typ P-kanálový 1 A 45 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: RAF040P01 MOSFET RAF040P01TCL Typ P-kanálový 4 A 12 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: RU1C002ZP MOSFET RU1C002ZPTCL Typ P-kanálový 200 mA 20 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový 2.4 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový 3.5 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový 1 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení