řada: RU1C002ZP MOSFET RU1C002ZPTCL Typ P-kanálový 200 mA 20 V ROHM, SOT-323, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 124-6835
- Výrobní číslo:
- RU1C002ZPTCL
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 100 kusech)*
198,60 Kč
(bez DPH)
240,30 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- 500 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Konečné odeslání 900 jednotky (jednotek) od 07. srpna 2026
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | 1,986 Kč | 198,60 Kč |
| 500 - 900 | 1,887 Kč | 188,70 Kč |
| 1000 - 2400 | 1,588 Kč | 158,80 Kč |
| 2500 - 4900 | 1,509 Kč | 150,90 Kč |
| 5000 + | 1,287 Kč | 128,70 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 124-6835
- Výrobní číslo:
- RU1C002ZPTCL
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 200mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Řada | RU1C002ZP | |
| Typ balení | SOT-323 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.2Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 1.4nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 150mW | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 2.1mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Výška | 1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 200mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Řada RU1C002ZP | ||
Typ balení SOT-323 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.2Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 1.4nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 150mW | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 2.1mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Výška 1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tranzistory MOSFET s kanálem P, ROHM
Tranzistory MOSFET, ROHM Semiconductor
Související odkazy
- řada: RZF013P01 MOSFET RZF013P01TL Typ P-kanálový 1.3 A 12 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: RSF010P05 MOSFET RSF010P05TL Typ P-kanálový 1 A 45 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: RAF040P01 MOSFET RAF040P01TCL Typ P-kanálový 4 A 12 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: RSF015N06 MOSFET RSF015N06TL Typ N-kanálový 1.5 A 60 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: RUF025N02 MOSFET RUF025N02TL Typ N-kanálový 2.5 A 20 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NTS2101P MOSFET Typ P-kanálový 1.5 A 8 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NTS2101P MOSFET NTS2101PT1G Typ P-kanálový 1.5 A 8 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: RU1J002YN MOSFET RU1J002YNTCL Typ N-kanálový 200 mA 50 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení