řada: NTA MOSFET NTA4151PT1G Typ P-kanálový 760 mA 20 V onsemi, SC-75, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 780-0504
- Výrobní číslo:
- NTA4151PT1G
- Výrobce:
- onsemi
Mezisoučet (1 balení po 50 kusech)*
168,35 Kč
(bez DPH)
203,70 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 350 jednotka(y) budou odesílané od 05. října 2026
- Plus 56 800 jednotka(y) budou odesílané od 12. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 50 + | 3,367 Kč | 168,35 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 780-0504
- Výrobní číslo:
- NTA4151PT1G
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 760mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Řada | NTA | |
| Typ balení | SC-75 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 2.1nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -6V, +6V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 300mW | |
| Přímé napětí Vf | -1.1V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 900μm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 1.65mm | |
| Výška | 800μm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 760mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Řada NTA | ||
Typ balení SC-75 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 2.1nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -6V, +6V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 300mW | ||
Přímé napětí Vf -1.1V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 900μm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 1.65mm | ||
Výška 800μm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Napájecí MOSFET s kanálem P, 20 V, on Semiconductor
Tranzistory MOSFET, on Semiconductor
Související odkazy
- řada: NTA MOSFET Typ P-kanálový 760 mA 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NTA MOSFET N-kanálový 915 mA 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NTA MOSFET NTA4153NT1G N-kanálový 915 mA 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový 760 mA 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET NTE4151PT1G Typ P-kanálový 760 mA 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 760 mA 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRLML5103TRPBF Typ P-kanálový 760 mA 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: Si1077X MOSFET SI1077X-T1-GE3 Typ P-kanálový 760 mA 30 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení