řada: Si1077X MOSFET SI1077X-T1-GE3 Typ P-kanálový 760 mA 30 V Vishay, SC-89, počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 159-6521
- Výrobní číslo:
- SI1077X-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Momentálně nedostupné
Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.
- Skladové číslo RS:
- 159-6521
- Výrobní číslo:
- SI1077X-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 760mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | Si1077X | |
| Typ balení | SC-89 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 244mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 4.43nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 236mW | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -12V, +12V | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 1.2mm | |
| Výška | 600μm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 1.7mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 760mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada Si1077X | ||
Typ balení SC-89 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 244mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 4.43nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 236mW | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -12V, +12V | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 1.2mm | ||
Výška 600μm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 1.7mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- PH
Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor
Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor
Související odkazy
- řada: Si1077X MOSFET SI1077X-T1-GE3 Typ P-kanálový 760 mA 30 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový 760 mA 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET NTE4151PT1G Typ P-kanálový 760 mA 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI1025X-T1-GE3 Typ P SC-89-6, počet kolíků: 6 kolíkový Vishay
- řada: TrenchFET MOSFET SI1034CX-T1-GE3 N-kanálový 0.5 A 20 V počet kolíků: 6 kolíkový Vishay Vylepšení 2 Duální
- řada: Si4435DDY MOSFET SI4435DDY-T1-GE3 Typ P-kanálový 8.1 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: Si3433CDV MOSFET SI3433CDV-T1-GE3 Typ P-kanálový 6 A 20 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- MOSFET SI7415DN-T1-GE3 Typ P-kanálový 5.7 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay Vylepšení