MPN

řada: PowerTrench MOSFET FDMC8010 Typ N-kanálový 30 A 30 V onsemi, WDFN, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 774-1187
Výrobní číslo:: FDMC8010
Výrobce:: onsemi

řada: PowerTrench MOSFET FDMC8010 Typ N-kanálový 30 A 30 V onsemi, WDFN, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 páska po 5 kusech)*

267,01 Kč

(bez DPH)

323,08 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

2 980 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za pásku*
5 +	53,402 Kč	267,01 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 774-1187
Výrobní číslo:: FDMC8010
Výrobce:: onsemi

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	onsemi
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	30A
	Maximální napětí na zdroji Vds	30V
	Řada	PowerTrench
	Typ balení	WDFN
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	2mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	67nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	54W
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	No
	Délka	3.3mm
	Výška	0.75mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka onsemi
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 30A
	Maximální napětí na zdroji Vds 30V
	Řada PowerTrench
	Typ balení WDFN
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 2mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 67nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 54W
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení No
	Délka 3.3mm
	Výška 0.75mm
	Automobilový standard Ne

PowerTrench® N-Channel MOSFET, 20A až 59.9A, Fairchild Semiconductor

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi

U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.