řada: PowerTrench MOSFET FDMA2002NZ Typ N-kanálový 2.9 A 30 V, WDFN, počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Duální
- Skladové číslo RS:
- 184-5019
- Výrobní číslo:
- FDMA2002NZ
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 20 kusech)*
324,82 Kč
(bez DPH)
393,04 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 900 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 16,241 Kč | 324,82 Kč |
| 200 - 480 | 14,005 Kč | 280,10 Kč |
| 500 + | 12,14 Kč | 242,80 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 184-5019
- Výrobní číslo:
- FDMA2002NZ
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2.9A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | PowerTrench | |
| Typ balení | WDFN | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 268mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.5W | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 2.4nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Duální | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 2mm | |
| Výška | 0.75mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2.9A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada PowerTrench | ||
Typ balení WDFN | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 268mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.5W | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 2.4nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Duální | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 2mm | ||
Výška 0.75mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- TH
Toto zařízení je navrženo speciálně jako jediné řešení pro požadavky na duální přepínání v mobilních telefonech a dalších ultrapřenosných aplikacích. Obsahuje dva nezávislé tranzistory MOSFET N-Channel s nízkým odporem v provozním stavu pro minimální ztráty vedení. Technologie MicroFET 2x2 nabízí výjimečný tepelný výkon pro svou fyzickou velikost a je vhodná pro aplikace s lineárním režimem.
2,9 A, 30 V
RDS(ON) = 123 mΩ @ VGS = 4,5 V.
RDS(ON) = 140 mΩ @ VGS = 3,0 V.
RDS(ON) = 163 mΩ @ VGS = 2,5 V.
Nízký profil - maximálně 0,8 mm - v novém balení MicroFET 2x2 mm
HBM úroveň ochrany ESD=1,8kV (poznámka 3)
Bez halogenovaných sloučenin a oxidů antimonu
Aplikace
Tento produkt je obecně používán a vhodný pro mnoho různých aplikací
Související odkazy
- řada: PowerTrench MOSFET Typ N-kanálový 2.9 A 30 V počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Duální
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 22 A 150 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 7.9 A 100 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ N-kanálový 83 A 80 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ N-kanálový 80 A 100 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 4.4 A 100 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ N-kanálový 22 A 100 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ N-kanálový 238 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení