řada: FDmesh Výkonný tranzistor MOSFET FDmesh II Typ N-kanálový 10 A 600 V STMicroelectronics, TO-220FP, počet kolíků: 3

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet 2 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*

221,32 Kč

(bez DPH)

267,80 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Poslední zásoby RS
  • Posledních 165 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks
za jednotku
2 +110,66 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
761-2745P
Výrobní číslo:
STF11NM60ND
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

Výkonný tranzistor MOSFET FDmesh II

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

10A

Maximální napětí na zdroji Vds

600V

Typ balení

TO-220FP

Řada

FDmesh

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

0.45Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

30nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

±25 V

Maximální ztrátový výkon Pd

90W

Přímé napětí Vf

1.3V

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

16.4mm

Šířka

4.6 mm

Normy/schválení

No

Délka

10.4mm

Automobilový standard

Ne

N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics


Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics