řada: FDmesh Výkonný tranzistor MOSFET FDmesh II STF11NM60ND Typ N-kanálový 10 A 600 V STMicroelectronics, TO-220FP,
- Skladové číslo RS:
- 761-2745
- Výrobní číslo:
- STF11NM60ND
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 jednotka)*
116,58 Kč
(bez DPH)
141,06 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 170 jednotka(y) budou odesílané od 13. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 1 | 116,58 Kč |
| 2 + | 110,66 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 761-2745
- Výrobní číslo:
- STF11NM60ND
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | Výkonný tranzistor MOSFET FDmesh II | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 10A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | FDmesh | |
| Typ balení | TO-220FP | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.45Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 30nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 90W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | ±25 V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 16.4mm | |
| Délka | 10.4mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 4.6 mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu Výkonný tranzistor MOSFET FDmesh II | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 10A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada FDmesh | ||
Typ balení TO-220FP | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.45Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 30nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 90W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs ±25 V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 16.4mm | ||
Délka 10.4mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 4.6 mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- řada: FDmesh Výkonný tranzistor MOSFET FDmesh II Typ N-kanálový 10 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3
- řada: FDmesh MOSFET Typ N-kanálový 29 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: FDmesh MOSFET Typ N-kanálový 20 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: FDmesh MOSFET Typ N-kanálový 20 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: FDmesh MOSFET Typ N-kanálový 11 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: FDmesh MOSFET STP20NM60FD Typ N-kanálový 20 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: FDmesh MOSFET STW20NM60FD Typ N-kanálový 20 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: FDmesh MOSFET STD13NM60ND Typ N-kanálový 11 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení