řada: MDmesh Výkonové tranzistory MOSFET MDmesh II STB23NM50N Typ N-kanálový 17 A 500 V STMicroelectronics, TO-263,

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

125,48 Kč

(bez DPH)

151,83 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 1 000 jednotka(y) budou odesílané od 25. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 - 1125,48 Kč
2 +119,05 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
761-0663
Výrobní číslo:
STB23NM50N
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

Výkonové tranzistory MOSFET MDmesh II

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

17A

Maximální napětí na zdroji Vds

500V

Typ balení

TO-263

Řada

MDmesh

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

0.19Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

1.5V

Maximální ztrátový výkon Pd

125W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

±25 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

45nC

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

4.6mm

Normy/schválení

No

Šířka

10.4 mm

Délka

10.75mm

Automobilový standard

Ne

Technologie N-Channel MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics


Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics


Související odkazy