řada: MDmesh Výkonové tranzistory MOSFET MDmesh II STB23NM50N N-kanálový 17 A 500 V STMicroelectronics, TO-263, počet
- Skladové číslo RS:
- 168-7555
- Výrobní číslo:
- STB23NM50N
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Mezisoučet (1 naviják po 1000 kusech)*
43 867,00 Kč
(bez DPH)
53 079,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 25. února 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 1000 + | 43,867 Kč | 43 867,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 168-7555
- Výrobní číslo:
- STB23NM50N
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | Výkonové tranzistory MOSFET MDmesh II | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 17A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 500V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | MDmesh | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.19Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 45nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -25V, +25V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 125W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 10.75mm | |
| Výška | 4.6mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 10.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu Výkonové tranzistory MOSFET MDmesh II | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 17A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 500V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada MDmesh | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.19Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 45nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -25V, +25V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 125W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 10.75mm | ||
Výška 4.6mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 10.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Technologie N-Channel MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- řada: MDmesh Výkonové tranzistory MOSFET MDmesh II STB23NM50N N-kanálový 17 A 500 V STMicroelectronics počet
- řada: MDmesh MOSFET N-kanálový 17 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET N-kanálový 17 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STB24NM60N N-kanálový 17 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STB18NM80 N-kanálový 17 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový