řada: STripFET MOSFET STD20NF20 N-kanálový 18 A 200 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 761-0415
- Výrobní číslo:
- STD20NF20
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
177,36 Kč
(bez DPH)
214,605 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 1 735 jednotka(y) budou odesílané od 07. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 35,472 Kč | 177,36 Kč |
| 50 - 245 | 31,216 Kč | 156,08 Kč |
| 250 - 495 | 27,88 Kč | 139,40 Kč |
| 500 + | 23,944 Kč | 119,72 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 761-0415
- Výrobní číslo:
- STD20NF20
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 18A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 200V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | STripFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 125mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 110W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 2.4mm | |
| Šířka | 6.2mm | |
| Délka | 6.6mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 18A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 200V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada STripFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 125mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 110W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 2.4mm | ||
Šířka 6.2mm | ||
Délka 6.6mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel STAFET™, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- řada: STripFET MOSFET Typ N-kanálový 18 A 200 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET Typ N-kanálový 24 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET Typ N-kanálový 50 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET Typ N-kanálový 16 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET Typ N-kanálový 13 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET Typ P-kanálový 12 A 30 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET Typ N-kanálový 35 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení