AEC-Q101, řada: STripFET MOSFET Typ N-kanálový 18 A 200 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 165-6596
- Výrobní číslo:
- STD25NF20
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*
72 205,00 Kč
(bez DPH)
87 367,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 26. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 2500 + | 28,882 Kč | 72 205,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 165-6596
- Výrobní číslo:
- STD25NF20
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 18A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 200V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | STripFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 125mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 110W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 2.4mm | |
| Délka | 6.6mm | |
| Šířka | 6.2 mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 18A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 200V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada STripFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 125mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 110W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 2.4mm | ||
Délka 6.6mm | ||
Šířka 6.2 mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
N-Channel STAFET™, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STripFET MOSFET Typ N-kanálový 18 A 200 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET STD20NF20 Typ N-kanálový 18 A 200 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET Typ N-kanálový 16 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET Typ N-kanálový 17 A 30 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET Typ N-kanálový 35 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET Typ N-kanálový 13 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET Typ N-kanálový 23 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení