MPN

řada: PowerTrench MOSFET FDMC3612 Typ N-kanálový 16 A 100 V onsemi, MLP, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 759-9516
Výrobní číslo:: FDMC3612
Výrobce:: onsemi

řada: PowerTrench MOSFET FDMC3612 Typ N-kanálový 16 A 100 V onsemi, MLP, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

83,38 Kč

(bez DPH)

100,89 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

2 510 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
5 +	16,676 Kč	83,38 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 759-9516
Výrobní číslo:: FDMC3612
Výrobce:: onsemi

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	onsemi
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	16A
	Maximální napětí na zdroji Vds	100V
	Typ balení	MLP
	Řada	PowerTrench
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	212mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	14.4nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	35W
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Délka	3.3mm
	Výška	0.75mm
	Normy/schválení	No
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka onsemi
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 16A
	Maximální napětí na zdroji Vds 100V
	Typ balení MLP
	Řada PowerTrench
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 212mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 14.4nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 35W
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Délka 3.3mm
	Výška 0.75mm
	Normy/schválení No
	Automobilový standard Ne

PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10 A až 19,9A, Fairchild Semiconductor

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi

U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.